SiCデバイスのスイッチング動作時に発生する誤動作メカニズムの解明
研究課題情報
- 体系的番号
- JP19K04351 (JGN)
- 助成事業
- 科学研究費助成事業
- 資金配分機関情報
- 日本学術振興会(JSPS)
科研費情報
- 研究課題/領域番号
- 19K04351
- 研究種目
- 基盤研究(C)
- 配分区分
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- 基金
- 審査区分/研究分野
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- 小区分21010:電力工学関連
- 研究機関
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- 岡山大学
- 研究期間 (年度)
- 2019-04-01 〜 2023-03-31
- 研究課題ステータス
- 完了
- 配分額*注記
- 4,550,000 円 (直接経費: 3,500,000 円 間接経費: 1,050,000 円)
研究概要
SiCベースの次世代半導体パワーデバイスは自ら の高速スイッチング動作が引き起こすスイッチングノイズにより誤動作が発生しやすいと いう欠点を有しており,SiCパワーデバイスの普及に向けた大きな足枷となっている。 本研究は，誤動作のメカニ ズムを分析し,その対策方法を解明する。さらに,実際の電力変換器に本研究で確立した対策 方法を搭載可能にするための回路実装技術を確立する。