表面光電圧法によるフラットパネルディスプレイ用多結晶Si膜の結晶性評価技術の開発
研究課題情報
- 体系的番号
- JP20560308 (JGN)
- 助成事業
- 科学研究費助成事業
- 資金配分機関情報
- 日本学術振興会(JSPS)
科研費情報
- 研究課題/領域番号
- 20560308
- 研究種目
- 基盤研究(C)
- 配分区分
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- 補助金
- 審査区分/研究分野
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- 理工系 > 工学 > 電気電子工学 > 電子・電気材料工学
- 研究機関
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- 日本大学
- 研究期間 (年度)
- 2008 〜 2010
- 研究課題ステータス
- 完了
- 配分額*注記
- 4,810,000 円 (直接経費: 3,700,000 円 間接経費: 1,110,000 円)
研究概要
交流表面光電圧(Alternating current surface photovoltage:AC SPV)を用いて,多結晶シリコン(Si)薄膜の結晶性を非接触で評価できる装置を開発した。また,Si単結晶表面を酸化した際の微量の金属不純物[金(Au),鉄(Fe),クロム(Cr)]の挙動についてAC SPV法により明らかにした。更にこれらの金属不純物原子がSi表面における酸化膜成長に及ぼす影響を調べた。
