トンネルFET構造による3D-NANDフラッシュメモリの超多値化
About this project
- Japan Grant Number
- JP24K00935
- Funding Program
- Grants-in-Aid for Scientific Research
- Funding organization
- Japan Society for the Promotion of Science
- Project/Area Number
- 24K00935
- Research Category
- Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- Allocation Type
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- Multi-year Fund
- Review Section / Research Field
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- Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
- Research Institution
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- Kyushu University
- Project Period (FY)
- 2024-04-01 〜 2027-03-31
- Project Status
- Granted
- Budget Amount*help
- 18,460,000 Yen (Direct Cost: 14,200,000 Yen Indirect Cost: 4,260,000 Yen)
Research Abstract
高度情報化社会において、データを保存するストレージデバイスの大容量化は社会的に強く望まれている。SSD (Solid State Drive)やSDカードには3D-NANDフラッシュメモリが用いられており、世界中で大容量化の研究開発がなされている。3D-NANDフラッシュメモリには情報の多値化技術が用いられており、大容量化に大きく貢献している。しかしながら多値化は4bitで飽和しつつあり、5bit以上の超多値化を可能とする技術が強く望まれている。 本研究ではヘテロ接合を用いたトンネルFET構造をフラッシュメモリ適用した独自構造により、3D-NANDフラッシュメモリの超多値化を目指す。
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1040299826882077568
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- KAKEN