トンネルFET構造による3D-NANDフラッシュメモリの超多値化
研究課題情報
- 体系的番号
- JP24K00935
- 助成事業
- 科学研究費助成事業
- 資金配分機関情報
- 日本学術振興会(JSPS)
- 研究課題/領域番号
- 24K00935
- 研究種目
- 基盤研究(B)
- 配分区分
-
- 基金
- 審査区分/研究分野
-
- 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
-
- 九州大学
- 研究期間 (年度)
- 2024-04-01 〜 2027-03-31
- 研究課題ステータス
- 交付
- 配分額*注記
- 18,460,000 円 (直接経費: 14,200,000 円 間接経費: 4,260,000 円)
研究概要
高度情報化社会において、データを保存するストレージデバイスの大容量化は社会的に強く望まれている。SSD (Solid State Drive)やSDカードには3D-NANDフラッシュメモリが用いられており、世界中で大容量化の研究開発がなされている。3D-NANDフラッシュメモリには情報の多値化技術が用いられており、大容量化に大きく貢献している。しかしながら多値化は4bitで飽和しつつあり、5bit以上の超多値化を可能とする技術が強く望まれている。 本研究ではヘテロ接合を用いたトンネルFET構造をフラッシュメモリ適用した独自構造により、3D-NANDフラッシュメモリの超多値化を目指す。
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1040299826882077568
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- KAKEN