バイタルセンシングを志向したニューロモルフィック電子強誘電体ゲートFETの開発

About This Project

Japan Grant Number
JP22KJ2626 (JGN)
Funding Program
Grants-in-Aid for Scientific Research
Funding Organization
Japan Society for the Promotion of Science

Kakenhi Information

Project/Area Number
22KJ2626
Research Category
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Allocation Type
  • Multi-year Fund
  • Single-year Grants
Review Section / Research Field
  • Basic Section 26020:Inorganic materials and properties-related
Research Institution
  • Osaka Metropolitan University
Project Period (FY)
2023-03-08 〜 2025-03-31
Project Status
Granted
Budget Amount*help
2,500,000 Yen (Direct Cost: 2,500,000 Yen Indirect Cost: 0 Yen)

Research Abstract

人体から放射される脳波や、DNA・タンパク質などの生体高分子の骨格振動から放射されるTHz帯の微弱な電磁波信号を検出し、生体の活力や老いに関する情報を活用するwell beingなバイタルセンサーの創成が期待されている。強誘電体の特徴である巨大な自発分極を、電子の偏った分布によって発現する電子強誘電体YbFe2O4薄膜は、Siの数百~数千倍にも及ぶTHz帯の光吸収係数を有することから、当該電磁波の照射による超高速の分極変化によって、ゲート電界をかけずにトランジスタ動作を実現できると考えられる。本研究期間において、この電子強誘電体をゲート材料に用いたFET構造THz電磁波センサーの作製を目指す。

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