表面ダングリングボンドから成るハニカム格子状の低次元量子系の創出
研究課題情報
- 体系的番号
- JP25K08476 (JGN)
- 助成事業
- 科学研究費助成事業
- 資金配分機関情報
- 日本学術振興会(JSPS)
科研費情報
- 研究課題/領域番号
- 25K08476
- 研究種目
- 基盤研究(C)
- 配分区分
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- 基金
- 審査区分/研究分野
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- 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
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- 福岡教育大学
- 研究期間 (年度)
- 2025-04-01 〜 2028-03-31
- 研究課題ステータス
- 交付
- 配分額*注記
- 4,680,000 円 (直接経費: 3,600,000 円 間接経費: 1,080,000 円)
研究概要
本研究では、SiC(0001)上のSiN薄膜を用いることで、局在電子から成るハニカム格子状の低次元量子系の実現を目指す。SiN表面上にはハニカム格子状に並んだSi原子のダングリングボンドが存在しており、SiN表面の水素終端法を確立し、STMリソグラフィと組み合わせることで、グラフェンナノリボンのような様々な低次元量子系の作製が可能だと考える。
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1040585407816597760
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- KAKEN