シリコンスピントランジスタの高性能化に関する研究
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- 山下 尚人
- 研究代表者
- 九州大学
研究課題情報
- 体系的番号
- JP20J22776
- 助成事業
- 科学研究費助成事業
- 資金配分機関情報
- 日本学術振興会(JSPS)
- 研究課題/領域番号
- 20J22776
- 研究種目
- 特別研究員奨励費
- 配分区分
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- 補助金
- 審査区分/研究分野
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- 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
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- 九州大学
- 京都大学
- 研究期間 (年度)
- 2020-04-24 〜 2023-03-31
- 研究課題ステータス
- 完了
- 配分額*注記
- 3,100,000 円 (直接経費: 3,100,000 円 間接経費: 0 円)
研究概要
半導体集積回路の発熱問題、消費電力問題を解決するスピントランジスタの実現に向け、エネルギー効率の良いスピン流生成方法を開発する。半導体シリコンを用いたスピントランジスタは室温動作実証されたが、エネルギー効率が低い点が課題となっている。半導体で生じるの熱を活用する等、新たな指針に基づいたのスピン流生成方法について調査し、低消費電力スピントランジスタの実現に向けて材料開発と作製方法の検討を行う。
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1040848250651132288
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- KAKEN
- IRDB