欧州半導体製造エコシステムとの連携による国際的光電子集積デバイス創出基盤の創成
研究課題情報
- 体系的番号
- JP24KK0085 (JGN)
- 助成事業
- 科学研究費助成事業
- 資金配分機関情報
- 日本学術振興会(JSPS)
科研費情報
- 研究課題/領域番号
- 24KK0085
- 研究種目
- 国際共同研究加速基金(海外連携研究)
- 配分区分
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- 基金
- 審査区分/研究分野
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- 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
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- 九州大学
- 研究期間 (年度)
- 2024-09-09 〜 2028-03-31
- 研究課題ステータス
- 交付
- 配分額*注記
- 20,930,000 円 (直接経費: 16,100,000 円 間接経費: 4,830,000 円)
研究概要
日本オリジナルの超高周波光デバイス技術を核とし、これに欧州の半導体光集積デバイス製造技術を融合した国際的な光電子集積デバイス創出体制の基盤を構築する。具体的目標として、超高速フォトダイオード、半導体レーザ、光導波路、アンテナを集積したテラヘルツ波発生器の実現を目指す。アイントホーヘン工科大学（TU/e）の集積デバイス設計技術、設計環境を利用し、同大学が一翼を担う欧州半導体光集積デバイス製造エコシステムを、研究代表者がTU/eに滞在して利用する。TU/eの設計、製造技術と日本側（九州大、製造企業）の最先端実装、測定技術とを融合した高機能テラヘルツ波発生器を実現し、新たな産業分野を開拓する。
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1040864479735424768
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- KAKEN
