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Crystallographic Mapping of Nonpolar Plane Growth in Nitride Semiconductors and Its Application to Far-Ultraviolet LEDs
About This Project
- Japan Grant Number
- JP25K01680 (JGN)
- Funding Program
- Grants-in-Aid for Scientific Research
- Funding Organization
- Japan Society for the Promotion of Science
Kakenhi Information
- Project/Area Number
- 25K01680
- Research Category
- Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- Allocation Type
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- Multi-year Fund
- Review Section / Research Field
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- Basic Section 30010:Crystal engineering-related
- Research Institution
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- Mie University
- Project Period (FY)
- 2025-04-01 〜 2028-03-31
- Project Status
- Granted
- Budget Amount*help
- 18,850,000 Yen (Direct Cost: 14,500,000 Yen Indirect Cost: 4,350,000 Yen)
Research Abstract
非極性面であるa面やm面を主面とするAlN及びAlGaN結晶において、結晶成長を行う条件を系統的に調べ、それを成長マップ（成長の結晶学マップ）として纏める。また、最適条件で得た低欠陥密度で制御された良好な非極性面結晶を用いて、物性解明を行う。分極の振舞を学術的に体系化し、バンド構造も含めた窒化物半導体の非極性面における固体物理を理解する。実験とシミュレーションの両面から取組み、さらに非極性面の活用により光取り出しを向上することで、大幅な発光効率の向上を狙う。これらの研究により、非極性面を有する窒化物半導体における結晶工学とデバイス応用の学理を構築する。
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1040866882800641920
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- KAKEN