窒化物半導体の非極性面成長における結晶学マップ作成と遠紫外LED応用
研究課題情報
- 体系的番号
- JP25K01680 (JGN)
- 助成事業
- 科学研究費助成事業
- 資金配分機関情報
- 日本学術振興会(JSPS)
科研費情報
- 研究課題/領域番号
- 25K01680
- 研究種目
- 基盤研究(B)
- 配分区分
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- 基金
- 審査区分/研究分野
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- 小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
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- 三重大学
- 研究期間 (年度)
- 2025-04-01 〜 2028-03-31
- 研究課題ステータス
- 交付
- 配分額*注記
- 18,850,000 円 (直接経費: 14,500,000 円 間接経費: 4,350,000 円)
研究概要
非極性面であるa面やm面を主面とするAlN及びAlGaN結晶において、結晶成長を行う条件を系統的に調べ、それを成長マップ（成長の結晶学マップ）として纏める。また、最適条件で得た低欠陥密度で制御された良好な非極性面結晶を用いて、物性解明を行う。分極の振舞を学術的に体系化し、バンド構造も含めた窒化物半導体の非極性面における固体物理を理解する。実験とシミュレーションの両面から取組み、さらに非極性面の活用により光取り出しを向上することで、大幅な発光効率の向上を狙う。これらの研究により、非極性面を有する窒化物半導体における結晶工学とデバイス応用の学理を構築する。