Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
書誌事項
- タイトル別名
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- Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動
- Si リョウシ ドット/NiSi ナノドットハイブリッド セキソウ フローティングゲート MOS コウゾウ ニ オケル ヒカリレイキキャリア イドウ
- Photoexcited Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures
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説明
シリコン量子ドット(Si-QDs)とNiSiナノドット(NDs)のハイブリッド積層構造をフローティングゲート(FG)にしたMOSキャパシタにおいて,内部光電効果によるNiSi-NDsからSi-QDsへの電荷移動に着目し,近赤外光照射がハイブリッドFG内の電荷移動・再分布に及ぼす影響を調べた.容量-電圧特性において,光照射下での電子注入に起因するフラットバンド電圧シフトは,暗状態に比べて減少した.これは,NiSi-NDs内で光励起された電子がSi-QDsへ移動することによりハイブリッドFG中で負電荷中心がゲート電極側へシフトした結果として解釈できる.また,NiSi-NDs内で光励起された電子のパルスゲート電圧に対する応答を調べた結果,NiSi-NDsからSi-QDsへ移動する電荷量は,パルスゲート電圧の大きさに比例することが示唆された.
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112 (92), 13-16, 2012-06-14
一般社団法人電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1050001338804691328
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- NII論文ID
- 110009588297
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- HANDLE
- 2237/23590
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- NDL書誌ID
- 023811030
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- ISSN
- 09135685
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- 本文言語コード
- ja
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- 資料種別
- journal article
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- データソース種別
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