µ-PCD法によるエピタキシャルウェーハ評価の精度に関する検討

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  • m-PCDホウ ニ ヨル エピタキシャルウェーハ ヒョウカ ノ セイド ニ カンスル ケントウ
  • Investigation of Epitaxial Wafer Evaluation Accuracy with Microwave Photoconductivity Decay

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We discussed applying the microwave photoconductivity decay (µ-PCD) to measure carrier lifetime of silicon epitaxial wafer. This paper clarified the range of evaluable substrate concentration and thickness by construction of conditional expression and TCAD simulation. The result becomes guideline on evaluation accuracy of epitaxial wafer for power device.

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