書誌事項
- タイトル別名
-
- ジメチルヒドラジン DMHy オ モチイタ GaAs キバン ノ チッカ ショリ
- ジメチルヒドラジン(DMHy)を用いたGaAs基板の窒化処理
この論文をさがす
説明
Nitridation of GaAs substrate plays an important roll in the initia1 stage of GaN growth on GaAs substrates and the nitridation process gives the strong influence to the quality of epitaxia1 layers. In this paper, the nitridation mechanism is discussed by the use of in-situ reflection high energy electron diffraction method.
収録刊行物
-
- 福井大学工学部研究報告
-
福井大学工学部研究報告 47 (1), 131-141, 1999-03
福井 : 福井大学工学部
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1050282812726228992
-
- NII論文ID
- 110000326879
-
- NII書誌ID
- AN00215401
-
- ISSN
- 04298373
-
- NDL書誌ID
- 4699692
-
- 本文言語コード
- en
-
- 資料種別
- departmental bulletin paper
-
- データソース種別
-
- IRDB
- NDLサーチ
- CiNii Articles
