TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
書誌事項
- タイトル別名
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- TaOx層挿入によるHfO₂/Ge界面反応制御
- TaOxソウ ソウニュウ ニ ヨル HfO ₂/Ge カイメン ハンノウ セイギョ
- Interface Reaction Control of HfO_2/Ge structure by an Insertion of TaO_x layer
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説明
GeチャネルMISFET実現のために必要不可欠なHigh-k/Ge界面制御手法として、極薄TaOx層の挿入に着目し、Ge表面へのTaO_xのMOCVDによるLayer-by-Layer成膜を行い、界面近傍の化学結合状態について評価を行った。その結果、HfO_2/Ge界面に形成したTaO_x挿入層/Ge界面近傍で成膜中および成膜後の熱負荷によるTaO_x層中へのGeの拡散が確認されるものの、厚さ〜1nm以上のTaO_x挿入が、誘電率低下の要因となるGe界面酸化層の形成抑制に有効であることが明らかとなった。また、Ge拡散により界面に形成されたTaGe_xO_y層の比誘電率は、GeO_2の値の約1.7倍の9であることから、EOT低減に効果的であることを明らかにした。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112 (92), 33-36, 2012-06-14
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1050282813781400704
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- NII論文ID
- 110009588301
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- HANDLE
- 2237/23588
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- NDL書誌ID
- 023811160
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- ISSN
- 09135685
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- 本文言語コード
- ja
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- 資料種別
- journal article
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- データソース種別
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- IRDB
- NDLサーチ
- CiNii Articles
