Heteroepitaxial growth of β-Ga_2O_3 thin films on single crystalline diamond (111) substrates by radio frequency magnetron sputtering
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- 草場, 崇史
- 九州大学大学院総合理工学府
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- Sittimart, Phongsaphak
- 九州大学大学院総合理工学研究院 産業技術総合研究所センシングシステム研究センター
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- 片宗, 優貴
- 九州工業大学大学院工学研究院電気電子工学研究系
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- 蔭浦, 泰資
- 産業技術総合研究所センシングシステム研究センター
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- 楢木野, 宏
- 九州大学大学院総合理工学研究院
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- 大曲, 新矢
- 産業技術総合研究所センシングシステム研究センター
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- Sreenath Mylo Valappil
- 九州大学大学院総合理工学府
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- 長野, 里基
- 九州大学大学院総合理工学府
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- Zkria, Abdelrahman
- 九州大学日本・エジプト科学技術連携センター
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- 吉武, 剛
- 九州大学大学院総合理工学研究院
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説明
In this work, we demonstrate the first achievement in heteroepitaxial growth of β-Ga_2O_3 thin films on single crystalline diamond (111) wafers using RF magnetron sputtering. A single monoclinic (β-phase) structure with a monofamily {2^^-01} plane was obtained. XRD pole figure shows (2^^-02) and (002) textures of the (2^^-01) β-Ga_2O_3 plane parallel to (111) diamond with six distinct rotational domains, confirming successful epitaxial growth. Collectively, this research provides valuable insights into the epitaxial growth of β-Ga_2O_3 on diamond via sputtering, paving the way for scalable β-Ga_2O_3/diamond heterostructures for future electronic and optoelectronic applications with not only high performance but also effective self-thermal management.
収録刊行物
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- Applied Physics Express
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Applied Physics Express 16 (10), 105503-, 2023-10-09
IOP Publishing
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1050582462796089600
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- NII書誌ID
- AA12295133
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- ISSN
- 18820786
- 18820778
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- HANDLE
- 2324/7183508
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- 本文言語コード
- en
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- 資料種別
- journal article
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- データソース種別
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- IRDB