Growth and etching characteristics of (001) β- Ga2O3 by plasma-assisted molecular beam epitaxy

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• CRID

  1050863629123075840

• ISSN

  02681242

• DOI

  10.48505/nims.4360

• Web Site

  https://mdr.nims.go.jp/pid/8aa2e172-638d-4607-af4d-67df1403fa12

• 本文言語コード

  en

• 資料種別

  journal article

• データソース種別

  • IRDB