次世代LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成と機能評価
CiNii
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Bibliographic Information
- Title
- "次世代LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成と機能評価"
- Statement of Responsibility
- 研究代表者 中島寛
- Publisher
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- [九州大学]
- Publication Year
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- 2004.3
- Book size
- 30cm
- Other Title
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- ジセダイ LSIヨウ コウユウデンリツ ゲート ゼツエンマク ノ テイオン ケイセイ ト キノウ ヒョウカ
- 平成13年度-平成15年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書 研究課題番号13450130
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1130000795739157504
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- NII Book ID
- BA68418586
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- Country Code
- ja
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- Title Language Code
- ja
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- Place of Publication
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- [福岡]
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- Data Source
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- CiNii Books