超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現

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Bibliographic Information

Title
"超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現"
Statement of Responsibility
長谷川英機研究代表
Publisher
  • [北海道大学大学院工学研究科]
Publication Year
  • 2000.3
Book size
30cm
Other Title
  • チョウウスマク シリコン リョウシ イド オ フクム ゼツエン ゲート ニヨル InPケイ チョウコウシュウハ ダイデンリョク デバイス ノ ジツゲン

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Details 詳細情報について

  • CRID
    1130000795873802240
  • NII Book ID
    BA47593191
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    ja
  • Place of Publication
    • [札幌]
  • Data Source
    • CiNii Books
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