レーザーアニールによる接合形成と高性能パワーSi MOS FETsに関する研究
CiNii
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書誌事項
- タイトル
- "レーザーアニールによる接合形成と高性能パワーSi MOS FETsに関する研究"
- 責任表示
- 陳訳著
- 出版者
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- 琉球大学大学院理工学研究科
- 出版年月
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- 2016.9
- 書籍サイズ
- 30cm
- タイトル別名
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- レーザーアニール ニ ヨル セツゴウ ケイセイ ト コウセイノウ パワー Si MOS FETs ニ カンルス ケンキュウ
- Research on Junction formation using laser annealing for high performance Si power MOS FETs
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注記
生産エネルギー工学専攻
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1130000796121488640
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- NII書誌ID
- BB24638720
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- 本文言語コード
- ja
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- 出版国コード
- ja
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- タイトル言語コード
- ja
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- 出版地
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- [西原町(沖縄県)]
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- 分類
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- NDC9: 377.5
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- データソース種別
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- CiNii Books
