Open-circuit voltage of MIS silicon solar cells

DOI PDF 被引用文献4件
  • J. P. Ponpon
    Centre de Recherches Nucléaires et Université Louis Pasteur, Laboratoire de Physique des Rayonnements et d′Electronique Nucléaire, F-67037 Strasbourg Cedex, France
  • P. Siffert
    Centre de Recherches Nucléaires et Université Louis Pasteur, Laboratoire de Physique des Rayonnements et d′Electronique Nucléaire, F-67037 Strasbourg Cedex, France

書誌事項

公開日
1976-07-01
DOI
  • 10.1063/1.323122
公開者
AIP Publishing

この論文をさがす

説明

<jats:p>The open-circuit voltage of MIS solar cells realized on n-type silicon has been investigated. Chemically formed and evaporated SiOx layers have been used for the insulating film. The latter has given the best results on polished samples, since Voc reached 0.55V. The influence of different parameters like n or ΦBn are discussed.</jats:p>

収録刊行物

被引用文献 (4)*注記

もっと見る

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ