DC characteristics of ALD-grown Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/AlGaN/GaN MIS-HEMTs and HEMTs at 600 °C in air
この論文をさがす
収録刊行物
-
- Semiconductor Science and Technology
-
Semiconductor Science and Technology 31 (11), 115017-, 2016-10-13
IOP Publishing
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1360011145041752704
-
- ISSN
- 13616641
- 02681242
- https://id.crossref.org/issn/02681242
-
- データソース種別
-
- Crossref