Vergleichende Untersuchungen an Alkoxy‐trimethylsilanen, Alkoxy‐pentamethyldisilanen und 1,2 Dialkoxy‐tetramethyldisilanen sowie an analogen Alkylamino‐ und Alkylthio‐disilanen

R. Stendel, E. Popowski, H. Kelling

doi:10.1002/zaac.19835061123

Vergleichende Untersuchungen an Alkoxy‐trimethylsilanen, Alkoxy‐pentamethyldisilanen und 1,2 Dialkoxy‐tetramethyldisilanen sowie an analogen Alkylamino‐ und Alkylthio‐disilanen

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公開日: 1983-11

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10.1002/zaac.19835061123

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<jats:title>Abstract</jats:title><jats:p>Zum Vergleich mit bereits früher untersuchten Verbindungen Me<jats:sub>3</jats:sub>SiX (I) und Me<jats:sub>5</jats:sub>Si<jats:sub>2</jats:sub>X (II) mit X  OR, NHR und SR wurden Disilane des Typs XMe<jats:sub>2</jats:sub>SiSiMe<jats:sub>2</jats:sub>X (III) hergestellt. Für alle drei Substanztypen wurden relative Basizitätswerte und NMR‐Daten gemessen sowie für ausgewählte Verbindungen mit X  OR thermodynamische Daten der Assoziation mit Phenol. Die Ergebnisse werden bezüglich der Abhängigkeit von elektronischen und sterischen Effekten diskutiert. Für die Verbindungen mit X  OR und NHR ist der induktive Effekt von X wesentlich stärker durch konjugative Wechselwirkungen kompensiert als für die Verbindungen mit X  SR.</jats:p>