Low-Voltage High-Stability Indium–Zinc Oxide Thin-Film Transistor Gated by Anodized Neodymium-Doped Aluminum

DOI PDF 被引用文献2件

収録刊行物

  • IEEE Electron Device Letters

    IEEE Electron Device Letters 33 (6), 827-829, 2012-06

    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

被引用文献 (2)*注記

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