Graphene field-effect transistors based on boron nitride gate dielectrics

詳細情報 詳細情報について

• CRID

  1363388844188251008

• DOI

  10.1109/iedm.2010.5703419

• Web Site

  http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/5692854/5703218/05703419.pdf?arnumber=5703419

• データソース種別

  • Crossref