Si / SiO2 Interface Oxidation Kinetics: A Physical Model for the Influence of High Substrate Doping Levels: II . Comparison with Experiment and Discussion

DOI Web Site Web Site 被引用文献7件
  • C. P. Ho
    Integrated Circuits Laboratory, Stanford University, Stanford, California 94305
  • J. D. Plummer
    Integrated Circuits Laboratory, Stanford University, Stanford, California 94305

書誌事項

公開日
1979-09-01
権利情報
  • https://iopscience.iop.org/page/copyright
  • https://iopscience.iop.org/info/page/text-and-data-mining
DOI
  • 10.1149/1.2129321
公開者
The Electrochemical Society

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