C-doped GaN buffer layers with high breakdown voltages for high-power operation AlGaN/GaN HFETs on 4-in Si substrates by MOVPE

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書誌事項

公開日
2007-01
権利情報
  • https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0/
DOI
  • 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.192
公開者
Elsevier BV

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