X線マイクロアナライザーによるシリコンウエハ上タングステンシリサイド膜及びボロホスホシリケイトガラス膜の組成分析(<特集>表面・界面・薄膜と分析化学)

DOI NDLデジタルコレクション Web Site Web Site
  • 槙石 規子
    川崎製鉄(株)技術研究本部分析・物性研究センター
  • 山本 公
    川崎製鉄(株)技術研究本部分析・物性研究センター
  • 岡野 輝雄
    川崎製鉄(株)技術研究本部分析・物性研究センター
  • 松村 泰治
    川崎製鉄(株)技術研究本部分析・物性研究センター

書誌事項

タイトル別名
  • Quantitative analysis of tungsten silicide film and borophosphosilicate glass film deposited on a silicon wafer using electron probe microanalysis.
  • Ｘ線マイクロアナライザーによるシリコンウエハ上タングステンシリサイド膜及びボロホスホシリケイトガラス膜の組成分析
  • Xセン マイクロアナライザー ニ ヨル シリコン ウエハジョウ タングステン

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抄録

Tungsten suicide (WSix) film and borophosphosilicate glass (BPSG) film on a silicon wafer were analyzed quantitatively using EPMA. The optimum accelerating voltage and analytical line for the analysis of these thin films were determined from both calculations and experiments, while considering the effective depth of X-ray generation. The obtained results are as follows: (1) For a WSix film of 0.5μm, the optimum accelerating voltage was 10 kV. The repeatability (σ) of the analysis for molar ratio x (Si/W) was 0.02 (x=2.42) ; (2) Several ZAF correction methods in which atomic number corrections were varied were examined for the analysis of a WSix film at a low accerelating voltage. The best accuracy was obtained with a correction method proposed by Philibert and Tixier. (3) For BPSG film, the optimum accelerating voltage was 5 kV for analyzing the composition. The analytical accuracies of boron and phosphorus contents were 0.12 and 0.10%, respectively. (4) The thickness of BPSG film could be determined with the OKα intensity which was generated from the film. The optimum accelerating voltage was 20 kV. (5) BPSG film was analyzed after carbon vapor deposition. The decrease in the X-ray intensity of boron, phosphorus and oxygen could be corrected by using the ratio between the C Kα intensity generated from a standard sample and that from carbon film on BPSG.

収録刊行物

  • 分析化学

    分析化学 40 (11), T195-T202, 1991

    公益社団法人 日本分析化学会

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