Surface Finishing Technology and Semiconductor Fabrication Process. Influence of Silicon Substrate Surface Condition on Gate Oxide Reliability.
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- OZAWA Yoshio
- Microelectronics Eng. Lab., Toshiba Corp.
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- FUKUMOTO Masato
- Microelectronics Eng. Lab., Toshiba Corp.
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- SUIZU Yasumasa
- Microelectronics Eng. Lab., Toshiba Corp.
Bibliographic Information
- Other Title
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- 表面技術と半導体プロセス シリコン基板表面状態とゲート酸化膜の信頼性
- シリコン キバン ヒョウメン ジョウタイ ト ゲート サンカ マク ノ シンラ
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Journal
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- Journal of The Surface Finishing Society of Japan
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Journal of The Surface Finishing Society of Japan 49 (3), 248-252, 1998
The Surface Finishing Society of Japan
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204114932608
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- NII Article ID
- 10002108715
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- NII Book ID
- AN1005202X
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- ISSN
- 18843409
- 09151869
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- NDL BIB ID
- 4413775
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles