Sess.3-2 半導体のESD耐性試験における破壊判定方法の改善(第13回信頼性シンポジウム)

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  • 佐藤 真吾
    株式会社アイテスコンポーネントテクノロジー保証

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タイトル別名
  • 半導体のESD耐性試験における破壊判定方法の改善
  • ハンドウタイ ノ ESD タイセイ シケン ニ オケル ハカイ ハンテイ ホウホウ ノ カイゼン

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抄録

半導体製品の評価試験の一つにESD耐性試験があり、そのうちの最も標準的に行なわれているものがHuman Body Model(HBM)試験である。このHBM試験では、ESD印加後、デバイス破壊判定を行なうが、この破壊判定において、その従来の方法では充分に検知できない破壊の事例を最近の試験でいくつか経験した。そうした問題に対応する有効な判定方法・条件の改善を実施すると同時に、さらに、従来のDC測定による方法に加えて、製品機能試験を効果的に併用することで、破壊の見逃しのリスクを最小限にする、より正確かつ効果的な判定方法を提案・実施した。

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