書誌事項
- タイトル別名
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- Electromigration Phenomenon of Copper Interconnects on Semiconductor Device
- Cu ハイセン ノ エレクトロマイグレーション ゲンショウ
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説明
エレクトロマイグレーションは,金属配線に高密度の電流を長時間流すことによって生じる配線金属の原子移動現象である.従来より適用されてきたAI配線では,この現象に関する研究が長年なされている.しかし,配線遅延低減,エレクトロマイグレーション信頼性向上のため,近年,各社で開発が進められているCu配線のエレクトロマイグレーション現象については、故障メカニズムを含め,現状,十分究明されていない.ここでは,Cu配線のエレクトロマイグレーション現象について,試験条件設定において注意が必要な加速限界と,材料,プロセス条件等の検討結果について,AI配線との比較も交えながら,報告する.
収録刊行物
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- 日本信頼性学会誌 信頼性
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日本信頼性学会誌 信頼性 25 (2), 110-120, 2003
日本信頼性学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204453294848
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- NII論文ID
- 110003994406
- 10031114056
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- NII書誌ID
- AN10540883
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- ISSN
- 24242543
- 09192697
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- NDL書誌ID
- 6534650
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
