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抄録
We have clarified the effect of potassium ion addition to TMAH solution on orientation dependence of etching rate in silicon anisotropic etching and etched surface roughness. Hemispherical specimen of single crystal silicon and wagon wheel pattern were used for experiments. The etching rate in <011> direction decreases dramatically, etching rate in <111> direction increases and surface roughness decreased with adding potassium ion in TMAH.
収録刊行物
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- 電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌)
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電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌) 120 (7), 327-332, 2000
一般社団法人 電気学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204460327936
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- NII論文ID
- 10005725545
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- NII書誌ID
- AN1052634X
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- ISSN
- 13475525
- 13418939
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- NDL書誌ID
- 5390519
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- 本文言語コード
- en
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可