11-6 高速電荷転送のための埋め込みフォトダイオード構造の検討(第11部門 情報センシング1)
書誌事項
- タイトル別名
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- 11-6 Buried Photodiode Structure for High Speed Charge Transfer
説明
This paper presents a new type of buried photodiode structure for high speed charge transfer .The structure has stepwise n layer and p-well layer.They generate a fringing field in buried photodiode. Fringing field distributions and charge transfer characteristics of the structure are investigated with simulations.
収録刊行物
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- 映像情報メディア学会年次大会講演予稿集
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映像情報メディア学会年次大会講演予稿集 2008 (0), _11-6-1_-_11-6-2_, 2008
一般社団法人 映像情報メディア学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204556583936
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- NII論文ID
- 110009469858
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- ISSN
- 24242292
- 13431846
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
