化学的ウエットエッチングによる樹脂フィルム上へのＳｒＴｉＯ３薄膜容量形成プロセス技術

山田 宏治, 岡部 寛, 山下 喜市

doi:10.5104/jiep.12.511

書誌事項

タイトル別名

Chemical Wet Etching Process Technology for Fabricating SrTiO3 Thin Film Capacitors on Core Resin Films
カガクテキウエットエッチングニヨルジュシフィルムジョウエノ SrTiO3 ハクマクヨウリョウケイセイプロセスギジュツ

この論文をさがす

説明

低コスト化の観点より，STO（SrTiO₃）薄膜容量の形成が可能な基板材料，電極構成，パターン加工プロセス技術の検討ならびに試作したSTO薄膜容量の高周波特性の評価を行った。その結果，（1）ポリイミドおよびガラスエポキシ樹脂へのSTO薄膜容量の形成が可能である，（2）Ru/STO/Cr–Cu 3層膜構成が有望である，（3）全化学エッチング技術によるSTO薄膜容量（膜厚300 nm）の一括パターン加工形成が可能であることを明らかにした。また，試作したSTO薄膜容量が，容量値10 pF，比誘電率17および容量密度500 pF/mm²で，10 GHzまで平坦な周波数特性を示すことを確認した。

収録刊行物

エレクトロニクス実装学会誌

エレクトロニクス実装学会誌 12 (6), 511-518, 2009

一般社団法人エレクトロニクス実装学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID: 1390001204561076736

NII論文ID: 110007339290

NII書誌ID: AA11231565

DOI: 10.5104/jiep.12.511

COI: 1:CAS:528:DC%2BD1MXhtF2jsLrI

ISSN: 1884121X; 13439677

NDL書誌ID: 10426433

Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/10426433; https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10426433; http://www.jstage.jst.go.jp/article/jiep/12/6/12_6_511/_pdf

本文言語コード: ja

データソース種別

JaLC
NDLサーチ
Crossref
CiNii Articles

抄録ライセンスフラグ: 使用不可

書き出し

問題の指摘