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- 安田 和人
- 名古屋工業大学
書誌事項
- タイトル別名
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- Metalorganic vapor-phase ePitaxy of HgCdTe
- HgCdTe ノ ユウキ キンゾク キソウ セイチョウ
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抄録
有機金属気相成長法によるHgCdTeの成長についてその成長特性を概説する.この材料の成長には原料として有機カドミウム,有機テルル,金属水銀が用いられている.しかしながら金属水銀を原料として使用するため成長装置はIII-V族半導体の成長装置とは異なった構成になるとともに,HgCdTeの成長特性もIII-V族半導体の場合には生じないような特異な性質;を示すようになる.ここではHgOdTe成長原料,成長特性,成長装置について問題点およびその改良の方法について述べる.
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 64 (2), 141-144, 1995
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204595303424
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- NII論文ID
- 130003430787
- 10004321399
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- COI
- 1:CAS:528:DyaK2MXksF2is7s%3D
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 3595157
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可