非晶質基板上の選択核形成—Si層の粒界位置制御—

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タイトル別名
  • Sentary: Selective Nucleation Based Epitaxy over Amorphous Substrates

抄録

非晶質基板上に堆積されたままの薄層の構造は,下地の長距離秩序の欠如のため,短距離秩序のみ保持された非晶質か,よくて微細な結晶粒が粒界を隔てて集合した多結晶となる,本研究は,新しい結晶成長法, seRtaxy (selective nucletion based epitaxy) に基づき,非晶質基板上で,核形成サイトの位置を人工的に制御して,粒界位置を指定しようというものである.すなわち,基板上の任意の位置で結晶核を発生させ,任意の大きさに結晶粒を成長させることが可能となる,本稿では,その基本的な考え方を説明し,Siにおける実際例を紹介する.

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 57 (9), 1387-1392, 1988

    公益社団法人 応用物理学会

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001204595660800
  • NII論文ID
    130003430522
  • DOI
    10.11470/oubutsu1932.57.1387
  • COI
    1:CAS:528:DyaL1MXosFOlsg%3D%3D
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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