半導体メモリー; DRAM

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タイトル別名
  • Semiconductor memory; DRAM
公開日
2000
DOI
  • 10.11470/oubutsu1932.69.1233
公開者
公益社団法人 応用物理学会

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説明

DRAMは高集積LS1の代表であり,最先端の微細加工技術をけん引してきたLSIである.現在,製品の主流は64Mbitであるが, 256 Mbitも製品化され,さらには, 512Mbit, 1Gbitも開発されている.本講座では,メモリー動作の基本,メモリーセル構造の変化とキャパシター絶縁膜の薄膜化,微細化を支えたプロセス技術,ロRAM特有の課題である情報保持特性,システムLSIに向けた混載DRAMの技術的な課題などにふれる.デバイスと材料に向けられた努力に焦点を当てながら,高集積化の歩みを振り返る.

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 69 (10), 1233-1240, 2000

    公益社団法人 応用物理学会

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001204595995136
  • NII論文ID
    130003594069
  • DOI
    10.11470/oubutsu1932.69.1233
  • COI
    1:CAS:528:DC%2BD3cXnsVansLc%3D
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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