有機V族原料を用いた有機金属気相成長

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タイトル別名
  • Metalorganic vapor phase epitaxy using organic group-V sources

抄録

実用炉への応用を目的とする有機V族原料を用いた有機金属気相成長法(MOVPE法)について述べる.有機V族原料の直接供給法を用いることにより,多数枚同時成長が可能な減圧バレル型炉への,多量の有機V族原料の安定供給が可能であることを示した.この方法を用いて成長させたInGaP/GaAs系ヘテロ結晶は,高品質かつ高均一な結晶特性を示した.さらに,InGaP/lnGaAs系低雑音高電子移動度トランジスター (low noise HEMT) を試作した結果,優れた素子特性が得られた.これらの結果を踏まえ,有機V族原料を用いたMOVPE技術の今後を展望する.

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 62 (8), 806-809, 1993

    公益社団法人 応用物理学会

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001204596742784
  • NII論文ID
    130003593203
  • DOI
    10.11470/oubutsu1932.62.806
  • COI
    1:CAS:528:DyaK2cXkt1Sqtw%3D%3D
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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