Radiation Hardened Devices

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  • 耐放射線デバイス
  • タイ ホウシャセン デバイス

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Abstract

耐放射線デバイスの中で,宇宙空間での使用を想定して研究が進められているMOS型シリコンデバイスについて解説している.いくっかある放射線損傷の中で,「定常的な電離放射線の照射」と「単発的な高エネルギー重粒子の入躬」による損傷について各々の場合のヂバイス特性変動や誤動作を紹介し,それらを低減する耐放射線強化の技術を解説する.また特に「定常的な電離放射線の照射」については,この場合の損傷発生メカユズムについてもふれている.

Journal

  • Oyo Buturi

    Oyo Buturi 54 (12), 1267-1273, 1985

    The Japan Society of Applied Physics

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