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- 成毛 清実
- (株)東芝半導体技術研究所
書誌事項
- タイトル別名
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- Radiation Hardened Devices
- タイ ホウシャセン デバイス
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抄録
耐放射線デバイスの中で,宇宙空間での使用を想定して研究が進められているMOS型シリコンデバイスについて解説している.いくっかある放射線損傷の中で,「定常的な電離放射線の照射」と「単発的な高エネルギー重粒子の入躬」による損傷について各々の場合のヂバイス特性変動や誤動作を紹介し,それらを低減する耐放射線強化の技術を解説する.また特に「定常的な電離放射線の照射」については,この場合の損傷発生メカユズムについてもふれている.
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 54 (12), 1267-1273, 1985
公益社団法人 応用物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204597241984
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- NII論文ID
- 130003591621
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- COI
- 1:CAS:528:DyaL28XmtlKlur4%3D
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 3055547
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可