半導体バルクの構造と電子状態
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- 宇田 毅
- アトムテクノロジー研究オングストロームテクノロジ研究機構
書誌事項
- タイトル別名
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- Atomic and electronic structures of tetrahedrally bonded semiconductors
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説明
IV族, III-V族, II-VI族化盒物の多くは四面体構造をとる半導体である.イオン性が増加するにつれ,エネルギー・ギャップは増大し,また結晶構造はセン蘂鉛鉱(ダイヤモンド)構造からウルツ鉱構造へと変化する.この傾向は構成原子の結合軌道の性質によって説明される.同様の考察は,人工格子のような新しい材料のエネルギー構造を予測するうえでも有用である.
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 68 (7), 817-820, 1999
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204597697280
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- NII論文ID
- 130003594030
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
