書誌事項
- タイトル別名
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- Design Method for Stacked FeRAM with Oxide-Channel Transistor
- サンカブツ ドウデン マク チャネル オ モチイタ セキソウガタ FeRAM ノ セッケイホウ
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抄録
Design method for stacked FeRAM with oxide-channel transistor has been newly proposed. Using this architecture without sacrificing the reliability of the ferro-electric thin film, both high-speed competitive DRAM and low-cost more than 1 layered Flash memory can be successfully realized. For the case of µ=20cm2/vs stacked NAND structure is available. For the case of µ=0.2cm2/vs stacked NOR structure is effective.
収録刊行物
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- 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）
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電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌） 131 (4), 810-817, 2011
一般社団法人 電気学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204608842496
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- NII論文ID
- 10027979910
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- NII書誌ID
- AN10065950
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- ISSN
- 13488155
- 03854221
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- NDL書誌ID
- 11065279
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可