Some Properties of a-Si<sub><i>x</i></sub>C<sub>1-<i>x</i></sub>: H Alloys Prepared by Reactive Sputtering
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- SHIMADA Toshikazu
- 日立製作所中央研究所
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- KATAYAMA Yoshifumi
- 日立製作所中央研究所
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- USAMI Katsuhisa
- 日立製作所中央研究所
Bibliographic Information
- Other Title
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- 反応性スパッタリング法によるa-Si<sub><i>x</i></sub>C<sub>1-<i>x</i></sub>: H “混非晶”の作成といくつかの性質
- 反応性スパッタリング法によるa-SixC1-x:H"混非晶"の作成といくつかの性質
- ハンノウセイ スパッタリングホウ ニヨル a SixC1 x H コンヒショウ
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Abstract
記事分類: 物理学--分子・物性
Journal
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- Oyo Buturi
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Oyo Buturi 48 (12), 1200-1204, 1979
The Japan Society of Applied Physics
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204629169792
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- NII Article ID
- 130003590567
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- NII Book ID
- AN00026679
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- COI
- 1:CAS:528:DyaL3cXit1Sku7c%3D
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL BIB ID
- 2070486
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- Data Source
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles