三次元スタック構造の半導体デバイスにおけるコンフォーマル成膜技術に関する研究

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タイトル別名
  • A Study of the Conformal Coating Technique on the 3D Stack Semiconductors Devices
  • 三次元スタック構造の半導体デバイスにおけるコンフォーマル成膜技術に関する研究(第1報)回転霧化エアロゾルスプレーによるTSVの成膜方法の提案とその装置化
  • サンジゲン スタック コウゾウ ノ ハンドウタイ デバイス ニ オケル コンフォーマルセイマク ギジュツ ニ カンスル ケンキュウ(ダイ1ポウ)カイテンムカ エアロゾルスプレー ニ ヨル TSV ノ セイマク ホウホウ ノ テイアン ト ソノ ソウチカ
  • —1<sup>st</sup> report, Invention of the Through-Silicon Via (TSV) Coating Method with the Rotary Atomizer Aerosol Spray and Trail Manufacture of a Coating System—
  • —第1報　回転霧化エアロゾルスプレーによるTSVの成膜方法の提案とその装置化—

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説明

Semiconductor devices are increasingly sophisticated in their application of three-dimensional laminated chips inside Through-Silicon Via (TSV). TSV is a technology that connects the stacked chips using through electrodes instead of higher integrated circuits densities. In this report, we described the invention of a new photo-resist coating method inside the TSV using the rotary atomizer aerosol spray. The characteristics of the flying droplets from the rotary atomizer aerosol nozzle have been measured by a Shadow Dopper Particle Analyzer (SDPA), and indicated that the new method is capable of coating the photo-resist inside the TSV. Furthermore, we have tried to manufacture the prototype coating system with the rotary atomizer aerosol nozzle and we have run the experiments in to coat the photo-resist inside the TSV Test Element Group (TEG) wafer. Results indicate that this method is able to uniformly coat the photo-resist along the shape of TSV.

収録刊行物

  • 精密工学会誌

    精密工学会誌 78 (11), 965-969, 2012

    公益社団法人 精密工学会

参考文献 (3)*注記

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