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- 藤倉 序章
- (株)サイオクス
書誌事項
- タイトル別名
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- GaN on GaN Crystals for Power Device Applications
- パワーデバイスヨウ GaN on GaN ケッショウ
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説明
<p>1.はじめに</p><p>GaN系半導体は,当初からその高い絶縁破壊電界と移動度からパワーデバイスとして,従来のSiやワイドギャップ半導体のSiCを超えるポテンシャルを認識されていたが,発光デバイス市場という広大なフロンティアが存在したため,初期の開発のほとんどは発光デバイスの実現,実</p>
収録刊行物
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- 電気学会誌
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電気学会誌 137 (10), 685-688, 2017
一般社団法人 電気学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204996278400
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- NII論文ID
- 130006109852
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- NII書誌ID
- AN10432927
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- ISSN
- 18814190
- 13405551
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- NDL書誌ID
- 028615589
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可