パワーデバイス用GaN on GaN結晶

書誌事項

タイトル別名
  • GaN on GaN Crystals for Power Device Applications
  • パワーデバイスヨウ GaN on GaN ケッショウ

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説明

<p>1.はじめに</p><p>GaN系半導体は,当初からその高い絶縁破壊電界と移動度からパワーデバイスとして,従来のSiやワイドギャップ半導体のSiCを超えるポテンシャルを認識されていたが,発光デバイス市場という広大なフロンティアが存在したため,初期の開発のほとんどは発光デバイスの実現,実</p>

収録刊行物

  • 電気学会誌

    電気学会誌 137 (10), 685-688, 2017

    一般社団法人 電気学会

参考文献 (11)*注記

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