書誌事項
- タイトル別名
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- Crystalline Diamond Substrates for Power Devices
- パワーデバイスヨウ ダイヤモンド ケッショウ
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抄録
<p>1.はじめに</p><p>パワーデバイス応用に資するダイオードを作る場合,オン状態での高い伝導度に加えて,オフ状態での高い耐圧,さらに低い漏れ電流といった優れた逆方向特性が強く求められる。逆方向特性の改善には,高品質結晶の利用が不可欠である。パワーデバイス応用で先行している4H-SiCで</p>
収録刊行物
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- 電気学会誌
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電気学会誌 137 (10), 689-692, 2017
一般社団法人 電気学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204996279424
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- NII論文ID
- 130006109855
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- NII書誌ID
- AN10432927
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- ISSN
- 18814190
- 13405551
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- NDL書誌ID
- 028615602
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可