顕微ラマン散乱による窒化アルミニウム半導体製造装置用部品の耐食性に関する研究

DOI 機関リポジトリ HANDLE Web Site Web Site 被引用文献4件 参考文献25件
  • 藤森 宏高
    山口大学大学院医学研究科応用医工学系工学部機能材料工学科
  • 田村 洋二
    山口大学大学院医学研究科応用医工学系工学部機能材料工学科
  • 針田 彬
    (株)トクヤマ
  • 井奥 洪二
    山口大学大学院医学研究科応用医工学系工学部機能材料工学科
  • 垣花 眞人
    東京工業大学応用セラミックス研究所
  • 吉村 昌弘
    東京工業大学応用セラミックス研究所
  • 後藤 誠史
    山口大学大学院医学研究科応用医工学系工学部機能材料工学科

書誌事項

タイトル別名
  • Corrosion Resistance of Aluminum Nitride as Semiconductor Equipment Parts Studied by Micro-Raman Spectroscopy
  • ケンビラマン サンラン ニ ヨル チッカ アルミニウム ハンドウタイ セイゾウ ソウチヨウ ブヒン ノ タイショクセイ ニ カンスル ケンキュウ

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抄録

A micro-Raman spectroscopic investigation has been performed to observe structural disorder in each grain of aluminum nitride ceramics as semiconductor equipment parts. A selective thermal oxidation treatment normalizes a different rate of a corrosion reaction depending on the crystal face and consequently improves the corrosion resistance. Upon thermal oxidation treatment, line widths of Raman bands increased more in grains including mainly crystals with (100) preferred orientation than in those of (002), indicating that (100) faces oxidize preferentially rather than (002) faces. According to Raman shift from the oxidized sample, oxidation induces residual compressive stress for grains including a large number of (100) prefer-oriented crystals. On fluorination of the oxidized sample, no increase of line widths was observed in both kinds of grains, suggesting that prior anisotropic thermal oxidation treatment of (100) faces, which are more sensitive to corrosion than (002) faces, inhibits the progress of corrosion.<br>

収録刊行物

被引用文献 (4)*注記

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参考文献 (25)*注記

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