400mmシリコンウェハの非接触静電浮上

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タイトル別名
  • Non-contact Electrostatic Levitation of φ400mm Silicon Wafer
  • 400mm シリコンウェハ ノ ヒセッショク セイデンフジョウ

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抄録

f400mmシリコンウェハの非接触静電浮上を実現した. 大型ウェハではウェハの変形による自由度の増加が無視できないため, 電極の分割数を増やし, 浮上システムにより多くの自由度を持たせることで, 安定な浮上を実現した. また, 電極への印加電圧の制御にオン-オフ制御を用いたが, 空気のダンピング力の存在によりオン-オフ制御のみでも浮上の安定化が可能であることが示された.

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