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- 荒井 和雄
- 産業技術総合研究所 イノベーション推進本部イノベーション推進企画部
書誌事項
- タイトル別名
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- R&D of SiC semiconductor power devices and strategy towards their practical utilization
- － 新規半導体デバイス開発における産総研の役割 －
抄録
SiC半導体のパワーデバイスの実現は、その省エネルギー効果により大きな期待が持たれている。SiCのような新規半導体のデバイスとしての実用化には、乗り越えなくてはならないいくつもの技術上の壁がある。産総研が関与した国家プロジェクトを中心として、15年を越える実用化に向けての研究開発活動を、産総研内の組織の変遷に対応させて、1）研究目標、2）個別課題の設定と解決のための戦略およびその成果、3）戦略の妥当性の評価に分けて記述し、最後に今後の課題について述べる。
収録刊行物
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- Synthesiology
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Synthesiology 3 (4), 259-271, 2010
国立研究開発法人 産業技術総合研究所
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205294690304
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- NII論文ID
- 130004541125
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- ISSN
- 18827365
- 18826229
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可