書誌事項
- タイトル別名
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- The Development of PALAP substrate by using diffusion bonding technology
- コソウ カクサン セツゴウ オ テキヨウ シタ PALAP タソウ キバン ノ カイハツ
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説明
多層基板を適用した多ピン半導体パッケージにおいて、更なるファインピッチＩＶＨが必要とされている。ＤＥＮＳＯ－ＰＡＬＡＰはビアｏｎビア構造からなるファインピッチＩＶＨ多層基板を実現できる。ビアはＳｎ／Ａｇの焼結体でランドは銅箔の構成となる。今回、新規な拡散接合技術をこの構造に適用した。Ｓｎ／Ａｇ組成における拡散接合の依存性を真空プレス機を用いて検討した。ビアと銅箔の接合強度に対するＳｎ／Ａｇ組成の依存性を評価した。Ｓｎ濃度が２０～６０ｗｔ％において強度な接合が得られることがわかった。Ｓｎ／Ａｇ組成を変えた場合の２０層Daisy-Chain基板における信頼性評価も評価した。
収録刊行物
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- エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集
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エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集 19 (0), 127-128, 2005
一般社団法人エレクトロニクス実装学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205554620672
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- NII論文ID
- 130004588802
- 40007194128
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- NII書誌ID
- AA11124281
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- ISSN
- 13424114
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- NDL書誌ID
- 7866063
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- データソース種別
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- JaLC
- NDLサーチ
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
