Siチップの局所残留変形測定によるフリップチップ実装構造のバンプ接続不良検出方法の検討

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  • Nondestructive Inspection Method for Detecting Open Failures btween a Si Chip and metalic bumps in Flip Chip Assembly Structures by Measurement of Local Deformation of a Si Chip

抄録

電子パッケージやモジュールに三次元実装構造を採用する場合には，全体の厚さに厳しい制約があることから必然的にSiチップの厚さが薄型化する傾向にある．Siチップ厚さが100ミクロン以下になると，Siチップ全体の曲げ剛性が著しく低下し，局所的な変形が可能となる．このため，実装バンプがアンダーフィルで覆われた構造で，バンプとアンダーフィル間の線膨張係数差が大きな場合には，実装後に隣接したバンプ間のSiチップに局所的な残留変形が発生することが考えられる．そこで，エリアアレイ型フリップチップ実装構造における隣接バンプ間のSiチップ局所変形量が100 nm以上となることを，有限要素法解析と走査型ブルーレーザー顕微鏡を応用して定量的に評価し，本局所変形測定が微小バンプの接続信頼性評価に適用できる見通しを得た．

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205556057472
  • NII論文ID
    130004588893
  • DOI
    10.11486/ejisso.19.0.73.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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